佳工机电网 在线工博会 我的佳工网 手机版 English
关键字  
  选择展区 >>
您的位置: 首页 > 电子元器件及材料展区 > 半导体材料展厅 > 新闻 > 正文 产品 会展 人才 帮助 | 注册 登录  
半导体材料
 按行业筛选
 按产品筛选
本产品全部新闻


e展厅 产品库 视频 新闻 技术文章 企业库 下载/样本 求购/论坛
  市场动态 | 技术动态 | 企业新闻 | 图片新闻 | 新闻评论 佳工网行业新闻--给您更宽的视角 发表企业新闻 投稿 
日本Phoeton展出SiC用激光退火装置
http://cn.newmaker.com 1/25/2011 2:02:00 PM  日经BP社
欢迎访问e展厅
展厅
15
半导体材料展厅
硅, 硒粉, 碲, 镓, ...
日本Phoeton公司在目前正举办的“INTER NEPCON”(2011年1月19~21日,东京有明国际会展中心)上,介绍了SiC半导体用激光退火装置。该装置设想用于背面电极中采用的金属层的欧姆(Ohmic)化。据Phoeton介绍,该公司预定在2011年2月提供首台SiC半导体用激光退火装置。另外,还预定在2012年开始供货定位为 “量产机型”的装置。

Phoeton公司拥有从2009年就开始供货硅半导体用激光退火装置的业绩。这是一种IGBT等纵型构造元件的制造工艺中所需要的、用于使晶圆背面实现活性化的装置。利用通过该装置积累的经验,Phoeton此次开发出了SiC半导体专用装置。

Phoeton公司表示,硅半导体用途是对整个晶圆进行退火,而SiC半导体用途则要求“对晶圆的一部分进行局部退火”。而原来硅半导体专用装置的激光照射方法无法满足该要求,因而Phoeton此次对激光照射方法进行了全面改进。

硅半导体专用装置在圆盘状的大工作台上沿圆周方向排列多个硅晶圆,在高速转动该工作台的同时照射激光。然后从工作台的圆周侧开始,以直径约为 100μm的激光光斑(Laser Spot)为中心进行扫描,从而对整个硅晶圆进行退火。而此次推出的SiC半导体专用装置无需转动SiC晶圆,而是采用Galvano光学扫瞄仪来扫描激光束。据Phoeton公司介绍,采用该方法可以对晶圆的一部分进行局部激光照射。

据介绍,在采用此次装置实现欧姆化时,可以实现10-4~10-6Ωcm2的接触电阻值。吞吐量方面,在150mm晶圆中采用NiSi形成欧姆电极时为5张/小时。支持的最大晶圆尺寸为150mm。还支持从晶圆上裁切下来的小片基板。支持的晶圆厚度在100μm以上。

发表评论】【新闻评论】【论坛】【收藏此页
更多有关半导体材料的新闻:
·美国应用材料公司推出新型刻蚀系统 12/23/2010
·[图]日本Lasertec上市高分辨率光学式检测装置WASAVI系列LP300 11/30/2010
·用水就能变成半导体 美国大学成功在石墨烯上生成带隙 10/29/2010
·SiC:从二极管向空调普及,底板尺寸将减至6英寸 10/26/2010
·美国莱斯大学开发出一种模拟石墨烯晶体管 10/22/2010
·美国成功在聚合物上生成磊晶 塑料芯片有望成真 7/23/2010
·美科学家成功将氟压缩到半导体,可用于高效率燃料电池 7/12/2010
·加拿大有机半导体技术研究获得新突破 6/24/2010
·[图]美研发石墨烯半导体量子点 能实现单分子传感器 5/31/2010
·IBM开发出石墨烯晶体管,截止频率为100GHz 2/9/2010
查看与本新闻相关目录:
·电子元器件及材料展区 > 半导体材料展厅 > 半导体材料技术动态
·佳工激光网展区 > 激光器展厅 > 激光器技术动态

对 半导体材料 有何见解?请到
半导体材料论坛 畅所欲言吧!





网站简介 | 企业会员服务 | 广告服务 | 服务条款 | English | Showsbee | 会员登录  
© 1999-2024 newmaker.com. 佳工机电网·嘉工科技