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SiC：从二极管向空调普及，底板尺寸将减至6英寸 |
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| http://cn.newmaker.com
10/26/2010 11:34:00 AM
日经BP社
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SiC是由Si和C构成的化合物半导体中的一种。除了模具及超硬刀具等之外，作为电子器件，还被应用于LED以及无线通信中使用的高频元件的底板。最近，SiC作为功率MOSFET及SBD等功率元件的材料，引起了极大关注。其原因在于，与身为现有材料的Si相比，SiC具有更为出色的特性。这些特性有助于逆变器及转换器大幅降低功率损耗，并实现小型化。
比如，逆变器的二极管只需从Si产品换成SiC产品，即可将功率损耗降低15～30％。如果晶体管也改用SiC的话，功率损耗还可得到进一步降低。其中，甚至还有厂商取得了功率损耗降低90％的结果。
SiC功率元件的用途颇为广泛。主要可应用于电力传输系统、电车、电动车辆、产业设备、太阳能发电系统及白色家电等要求耐压600V以上的领域。
目前已有众多厂商推出了SiC二极管产品。随着这些产品的推出，以往仅限于产业设备等部分用途的二极管已被配备到空调的逆变器上，出现了向消费类产品普及的迹象。
SiC晶体管尽管在产品的推出上有些缓慢，但也在稳步向前发展。被率先推出的产品是JFET。比如，英飞凌科技宣布将从2011年上半年开始量产JFET。
但是，JFET还存在即使不施加栅极电压也会导通的“常开（Normally On）”特性问题。虽然这种情况可通过电路技术来避免，但在驱动电路趋于复杂等原因下，要求推出“常关（Normally Off）”型MOSFET的呼声日益高涨。由于MOSFET的制造难度较大，估计要等到2012年以后才能全面开始量产。
对SiC功率元件的电气特性及成本起决定性作用的底板，以前其价格高达Si底板的10倍以上，而且能够提供高品质底板的厂商也只有美国科锐（Cree）一家。最近，质量水平直逼科锐的底板厂商趋于增多，引发了价格战。另外，有助于提高生产效率的底板大直径化也在向前推进。虽然目前在尺寸上以3～4英寸为主流，但是到2013年前后，估计6英寸产品将会得到普及。（记者：根津 祯）
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