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芯片制造新材料获得最新进展,IBM声称大幅降低了石墨烯的噪声
http://cn.newmaker.com 3/11/2008 9:34:00 AM  佳工机电网
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硅, 硒粉, 碲, 镓, ...
据美国IBM T J Watson研究中心的研究人员称,利用一种新奇的双层架构,可以把石墨烯(graphene)晶体管中的噪声降至原来的10分之一。在晶体管线尺寸降至32纳米以下之后,对于任何材料制成的所有器件来说,噪声就变成了一个重大问题,这个问题遵守霍克(Hooge)定律。但如果能够设法摆脱霍克定律并降低噪声,就可以使尺寸更小的器件达到更高的速度,同时提高信噪比。IBM现在声称已经为石墨烯晶体管找到了这种方法。

“我们发现的是1加1大于2,换句话说,如果只使用一个石墨烯层,根据以前我们研究过的材料,噪声波动情况非常清楚。也就是说,一般而言,在缩小器件尺寸的时候,噪声必然随之上升,与材料无关,”IBM研究人员Yu-Ming Lin表示,“但我们关于石墨烯的新发现是,当我们再增加一层石墨烯的时候,噪声却降至十分之一。”

石墨烯实际上是辗成薄片的单壁碳纳米管,当制成和原子一样薄的单层纯碳原子蜂房网格结构时,它的电子迁移率高于硅。通过利用石墨烯加工成晶体管,IBM和其它厂商希望抢先推出性能超越目前利用硅制造的CMOS的下一代半导体。

石墨烯比碳纳米管有优势,因为它可以利用光刻技术制造,不是先造出纳米管再放置在基底上面。但不幸的是,当把石墨烯晶体管通道缩小成宽度不到32纳米的纳米带(nanoribbon)时,其信噪比会降到无法接受的水平。但通过制成双层结构,IBM声称已经解决了这个噪声问题。

“石墨层(Graphene Sheet)自然变成许多片,而且各片之间具有间距非常非常小的自然间隔,”IBM研究人员Phaedon Avouris表示,“我们相信,通过利用双层沉积工艺,我们能够解决石墨烯晶体管所一直面临的噪声问题。”

下一步,IBM计划完全搞清楚其双层架构的噪声消除效应,同时在尺度小于32纳米时同样面临噪声问题的其它材料中试验这一结构。

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