半导体材料 |
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我成功研制3英寸碳化硅单晶 |
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http://cn.newmaker.com
5/7/2007 8:06:00 PM
佳工机电网
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一块月饼样大小,硬度仅次于金刚石的灰色的晶体块。这是晶体材料国家重点实验室刚刚出炉的3英寸碳化硅单晶。该实验室宣布,这是我国在研制2英寸碳化硅单晶获得成功以来,在大直径碳化硅单晶研究方面取得的又一突破性进展。
我国在“十五”期间获得2英寸碳化硅单晶,但更大直径的生长技术进展缓慢。在国家“863”计划支持下,山东大学晶体材料国家重点实验室依靠2英寸碳化硅单晶小批量产业化基础,首先利用理论计算,对大直径单晶的温场进行模拟,不断试验优化设计,最终在2000℃高温和真空的环境下,成功生长出3英寸碳化硅单晶。
自然界的晶体以绚烂的色彩赢得人们的喜爱,不仅如此,还具有奇异的物理性能:能够实现光、电、磁、热、声和力的相互作用和转换,是电子器件、半导体器件、固体激光器件的重要材料。据了解,从19世纪末开始,人们用各种方法来探索如何生长晶体,碳化硅单晶就是人工晶体科学中熠熠生辉的一颗明珠。它被称为第三代半导体材料,目前美国的碳化硅单晶直径达到4英寸,处于国际领先地位。
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