佳工机电网 在线工博会 我的佳工网 手机版 English
关键字  
  选择展区 >>
您的位置: 首页 > 电子元器件及材料展区 > 半导体材料展厅 > 新闻 > 正文 产品 会展 人才 帮助 | 注册 登录  
半导体材料
 按行业筛选
 按产品筛选
本产品全部新闻


e展厅 产品库 视频 新闻 技术文章 企业库 下载/样本 求购/论坛
  市场动态 | 技术动态 | 企业新闻 | 图片新闻 | 新闻评论 佳工网行业新闻--给您更宽的视角 发表企业新闻 投稿 
IBM联合开发出相变合金材料 芯片速度快500倍
http://cn.newmaker.com 12/12/2006 3:20:00 PM  佳工机电网
欢迎访问e展厅
展厅
15
半导体材料展厅
硅, 硒粉, 碲, 镓, ...
据国外媒体报道,IBM和二个公司的科学家合伙开发出了一种颇有前途的材料,他们认为新材料制成的新类型储存芯片能够适应数字音乐、照片和视频储存容量增长的需求。

IBM和计算机储存芯片制造商 Qimonda 和 Macronix的研究人员本周一在旧金山举行的国际电子装置会议上递交的技术论文中描述了这种材料。在超过二年半的时间里,经过反复试验,他们研究出一种原料,通过反复加热它可以从无定形状态转变成一种晶体。这种化合物名为GST,或称为锗-锑-碲相变材料。目前可以用来制造便宜的、用激光束进行阅读和书写的光盘。

科学家在谈到新材料的优势时表示,与目前使用的闪存相比,相变材料芯片的运行速度将快500倍,科学家开发的原型尺寸为3纳米高,20纳米宽,他们承诺未来这一技术能够使它的尺寸更小更耐用,储存单元在十万次重写后才被报废。

这个开发团队不是唯一的闪存领域的创新者,英特尔和意法半导体也在合伙开发这一技术,已经展示了128MB原型,并表示2007年推出产品。三星电子512MB原型预期在2008年推出。

发表评论】【新闻评论】【论坛】【收藏此页
更多有关半导体材料的新闻:
·硅晶体管到极限 MIT研发新技术提高产品性能 12/12/2006
·新内存芯片材料实现速度高于闪存千倍 12/12/2006
·我攻克太阳能单晶硅切割技术瓶颈 12/1/2006
·科学家研制出改进的磁半导体三明治材料 10/9/2006
·美利用氧化锌和钴开发新半导体材料 8/7/2006
·英特尔预测:硅将在数据通讯领域大显身手 2/12/2004
查看与本新闻相关目录:
·电子元器件及材料展区 > 半导体材料展厅 > 半导体材料技术动态

对 半导体材料 有何见解?请到
半导体材料论坛 畅所欲言吧!





网站简介 | 企业会员服务 | 广告服务 | 服务条款 | English | Showsbee | 会员登录  
© 1999-2024 newmaker.com. 佳工机电网·嘉工科技