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Vishay 威世公司


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Vishay推出新款车用IHTH高电流高温电感器 6/27/2013
通过AEC-Q200认证的器件具有+155℃的工作温度和125A额定电流宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 6 月27 日 — 日前，Vish...

Vishay发布用于VCNL4000全集成式接近和环境光光学传感器的新款演示套件 5/19/2011
套件具有两个接口面板和可调的性能参数，使设计者不需太多花费就能轻松评估VCNL4000 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 5 月 19 日 —...

Vishay Siliconix推出用于3D快门式眼镜的新款SPDT开关 3/23/2011
12V三端SPDT开关采用超小尺寸miniQFN-16封装，兼容1.8V逻辑电压，功耗小于1µA 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年...

Vishay推出可满足更低电压需求的红外接收器 2/22/2011
具有业界最低的2V电压、采用6种封装形式、可将接收器的工作时间延长至原先的5倍宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 2 月 22 日 — 日前，...

Vishay Siliconix推出新款500V的N沟道功率MOSFET超低导通电阻 10/18/2010
器件具有低至0.38 Ω的导通电阻和68nC的栅极电荷，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装宾夕法尼亚、...

Vishay扩充其应用于宇航领域的薄膜SMD电阻芯片家族 10/12/2010
芯片通过MIL-PRF-55342认证，为太空应用提供T级可靠性宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay...

Vishay推出适用于医疗电子应用的新型高可靠性固钽电容器 10/9/2010
创新器件采用七种紧凑的外形尺寸，具有200nA的超低DCL和固有的高可靠性、筛选选项，包括针对关键的医疗和军工/航天应用的weibull失效率分级宾夕法...

Vishay超高容值液钽电容器将被高能应用领域广泛采用 5/20/2010
10011系列电容器针对高可靠性应用提供玻璃至金属密封，具有72,000µF的高容值和低至0.035Ω的ESR 宾夕法尼亚、MAL...

Vishay发布2010年的“Super 12”高性能产品 3/25/2010
创新的器件为各种应用提供了业内领先的性能宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 3 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnol...

Vishay Siliconix发布新款±15V高精度8通道、4通道CMOS模拟复用器 6/26/2009
宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 6 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）...

Vishay依托技术优势，大力推动绿色环保产业发展 6/16/2009
Vishay在公司网站上的虚拟贸易展中展出用于替代能源应用的众多器件宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 6 月 16 日 — 日前，Visha...

Vishay推出业界操作电压最高的IGBT和MOSFET驱动器 6/8/2009
器件具有最高32V的电源电压，以及高达+ 110℃的工作环境温度，2.5mA的最大电流提高了热和电源效率宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 6...

Vishay推出新型超小尺寸、高性能厚膜功率电阻系列 5/27/2009
这种无感器件的阻值范围为0.3Ω～900kΩ，绝缘强度最高可达12kVrms；在+85℃下的散热功率可达300W、600W和800W；占...

Vishay推出新型Bulk Metal®箔电阻及其代替器件 5/20/2009
Vishay推出通过严格军标认证的新型Bulk Metal®箔电阻及其代替器件 QPL RNC90Y和非QLP S555高可靠性箔电阻具有±0.0...

Vishay推出厚度仅为0.6mm的LC EMI/ESD滤波器阵列 5/14/2009
在超级紧凑的LLP1713和LLP3313无引线封装内，Vishay新型四通道和八通道LC EMI/ESD滤波器阵列提供低于1db的输入损耗宾夕法尼亚、...

Vishay发布业界首款采用可表面贴装的模压封装液钽电容器 4/23/2009
M34和M35器件提供了1.7μF/125V～220μF/6V的容量范围和±20%的标准容差，在电压降级情况下的最高温度可达125℃ 宾夕法尼亚、MALV...

Vishay推出具有超低前向压降的小型肖特基整流器 4/16/2009
在节省空间的2.7mmx1.4mm的封装内，器件提供了高达30V的额定电压和1A的电流密度宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 4 月 16 日...

Vishay Siliconix推出TrenchFET® 第三代功率 MOSFET 3/10/2009
Vishay Siliconix 推出业内最低导通电阻的新型 20V P 通道 TrenchFET® 第三代功率 MOSFET 该器件采用 S...

Vishay 发布先进的第七代通用高压电源模块系列 2/27/2009
第七代模块具有更高性能、更轻重量、更低热阻、更高可靠性、更环保等特性宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 2 月 27 日 — 日前，Visha...

Vishay 推出第五代肖特基二极管，确立业界新标准 2/27/2009
采用次微米沟槽技术的新型器件采用 D-Pak 封装，具有达 +175 °C 最大结温、6 A 至 20 A额定电流范围、小于 0.54 V 的超低典型正向压降和...

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