l 597D和T97多模钽电容：对于+28V应用，工业级的597D和Hi-Rel COTS T97D系列是业内首批75V额定电压的钽电容。这些器件具有业内最高的容值-电压，从4V电压的1500μF到75V电压的15μF，可节省PCB空间，同时低至15mΩ的超低ESR提高了设计效率。
l MKP 1848聚丙烯薄膜电容：对于直流应用，MKP 1848电容的额定容值为1μF～400μF，有2个或4个引脚用于PCB安装(MKP 1848)，额定容值为60μF～400μF的器件采用总线条，用于直接IGBT安装(MKP 1848 PCP)。
l IHLP®-6767功率电感：IHLP-6767器件是目前额定电流最高的SMD功率电感。器件的尺寸为4.0mm x 7.0mm，电流可达100A，感值为100μH，还具有优异的温度稳定性。
l WSMS和WSBS高功率分流电阻：WSMS功率计分流电阻和WSBS车用电池分流电阻具有50μΩ～500μΩ的极低阻值，2908、3124和5515外形尺寸电阻的功率为3W，8518尺寸的功率达36W。器件的全焊接结构使器件可以在大于400A的连续电流下工作。
l LPS平板厚膜电阻：LPS系列采用紧凑的57mm x 60mm的外形尺寸，功率耗散达800W，重量为83g。器件的绝缘强度达12kVRMS，阻值范围为0.3Ω～900kΩ。
l 无磁MLCC：这些MLCC电容采用无磁材料制造，采用多种组装方式，包括导电树脂和红外回流焊组装。器件具有各种尺寸、电压等级和容值，采用了贵金属和湿法制造工艺，以达到高可靠性。
l 第三代TrenchFET® P沟道MOSFET：这种最新一代的P沟道硅技术使器件实现了业内最佳的导通电阻标准，如采用PowerPAK® SO-8封装的导通电阻为1.9mΩ。第三代TrenchFET P沟道MOSFET的rDS(on)只有市场上最接近器件的一半，用更低的传导损耗实现了更高的效率，使采用电池的应用在两次充电之间的时间更长。这种MOSFET还提供完整的封装选项，包括1.6mm x 1.6mm的PowerPAK SC-75封装。
l 20A的第5代肖特基二极管20WT04FN：20WT04FN是业界首款采用D-PAK封装的20A、40V二极管。该器件的工作温度可高达+175℃，在20A、+125℃下的最大正向电压降为0.530V，在45V、+125℃下的最大反向漏电流为7mA。
l MSS1P2U和MSS1P3U eSMPTM SMD肖特基势垒整流器：MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高电流密度，在0.4V电压下具有0.35V的超低正向电压降，典型厚度为0.68mm。
l VO3120和VO3150A IGBT/MOSFET驱动器：这些2.5A和0.5A的驱动器的供电电压范围为15V～32V，工作温度范围为+40℃～+110℃。
l SiC769 DrMOS 6x6：SiC769集成式MOSFET和驱动IC方案具有业内最佳的功率密度，可用于主流的多相Vcore应用。新器件完全符合针对高功率CPU系统中电压调整器(VR)的DrMOS标准，工作频率可达1MHz。
l 第9代Super JunctionTM FET MOSFET：Vishay的22A、600V Super Junction FET MOSFET具有低至0.19Ω(最大)的导通电阻，改善了导通电阻与栅极电荷的乘积，即优值(FOM)。
