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Vishay Siliconix推出新款500V的N沟道功率MOSFET超低导通电阻 10/18/2010 8:30:00 AM

Vishay Siliconix推出新款500V的N沟道功率MOSFET超低导通电阻

器件具有低至0.38 Ω的导通电阻和68nC的栅极电荷，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装

宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 10 月 18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封装。

SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而在功率因数校正(PFC)升压电路、脉宽调制(PWM)半桥和各种应用的LLC拓扑中节约能源，这些应用包括笔记本电脑的交流适配器、PC机电源、LCD TV和开放式电源。

除了低导通电阻，这些器件的栅极电荷为68nC。栅极电荷与导通电阻的乘积是功率转换应用中MOSFET的优值系数(FOM)，这些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。

新款N沟道MOSFET使用Vishay Planar Cell技术进行生产，该技术为减小通态电阻进行了定制处理，可以在雪崩和通讯模式下承受高能脉冲。与前一代MOSFET相比，SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C还具有更快的开关速度，并减小了开关损耗。

这些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并且经过了完备的雪崩测试，以实现可靠工作。

新款功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。

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