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| Vishay Siliconix推出TrenchFET® 第三代功率 MOSFET
3/10/2009 8:45:00 AM |
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Vishay Siliconix 推出业内最低导通电阻的新型 20V P 通道 TrenchFET® 第三代功率 MOSFET
该器件采用 SO-8 封装，在 10V 及 4.5V 时分别提供 1.9 mΩ 和 2.5 mΩ 的业内最低导通电阻
宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 3 月 10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。
新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在 10 V 时）、2.5 mΩ（在 4.5 V 时）和 3.9 mΩ（在 2.5 V 时）的超低导通电阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低导通电阻意味着更低的传导损耗，从而确保器件可以比之前市面上 p 通道功率 MOSFET 更低的功耗执行切换任务。
Si7137DP 将用作适配器开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器开关（在适配器/墙壁电源和电池电源间切换）一直处于导通状态，消耗电流。Si7137DP 的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。
对于使用 20V 器件足够的应用，Si7137DP 令设计人员无须依赖 30V 功率 MOSFET，直到最近 30V 功率 MOSFET 才成为具有如此低导通电阻范围的唯一 p 通道器件。最接近的同类 20V p 通道器件具有 12-V 以上的栅极至源极额定值，在 4.5V 栅极驱动时导通电阻为 14 mΩ，且没有 10V 栅极至源极电压的特点。在同类 30V 器件中，采用 SO-8 封装尺寸的最低 p 通道导通电阻在 10V 及 4.5V 时分别为 3.5 mΩ 和 6.3 mΩ，约为 Si7137DP 的一倍。
Vishay 将在 2009 年发布具有各种额定电压及封装选择的其他 p 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET。今天发布的该器件 100% 通过Rg 和 UIS 认证，且不含卤素。
目前，新型 Si7137DP TrenchFET 功率 MOSFET 可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。
VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
Siliconix创建于1962年，在1996年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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Vishay 威世公司联系方式：
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http://www.vishay.com
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电话：86-- |
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其他国家/地区·省份·威世公司 |
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