美国SiTime在2012年6月于美国举行的学会“15th Hilton Head Workshops on the science and technology of solid-state sensors, actuators, and microsystems（2012 Hilton Head Workshops）”上发表了可作为高速通信设备时钟源的硅振荡器详细信息。该振荡器内置温度补偿电路，可大幅降低频率波动。采用此次技术的工艺，将成为该公司高性能产品的平台。
在2012年1～2月举行的MEMS领域国际学会“MEMS2012（The 25th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems）”上，美国佐治亚理工学院（Georgia Institute of Technology）等也发表了可抑制硅振荡器频率波动的技术。在此后由Tech-On！举行的报告会上，日本东北大学副教授田中秀治介绍了该技术与SiTime的技术。
在“2012 Hilton Head Workshops”上，除了SiTime以外，其他公司也发表了旨在解决硅振荡器课题的技术。（记者：三宅 常之，Tech-On！）
