SemiSouth发布耐压为650V和1700V的SiC制JFET - 新闻


		我的佳工网手机版 English
		关键字

选择展区 >>




您的位置：首页 > 电子元器件及材料展区 > PCB/其它元器件展厅 > 新闻 > 正文	产品会展人才帮助 \| 注册登录

PCB/其它元器件

	按行业筛选

	按产品筛选


本产品全部新闻

e展厅

产品库

视频

新闻

市场动态 \| 技术动态 \| 企业新闻 \| 图片新闻 \| 新闻评论	佳工网行业新闻--给您更宽的视角	发表企业新闻投稿

SemiSouth发布耐压为650V和1700V的SiC制JFET

http://cn.newmaker.com 5/21/2012 10:57:00 AM 日经BP社

美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。

耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在脉冲驱动时为80A，工作温度范围为-55～+150℃，采用TO-220封装。

耐压为1700V的产品名称为“SJDT170R1400”，导通电阻为1400mΩ。特点是采用了可抑制电感的新型封装“SMD D2PAK-7L”，外形尺寸为16mm×10mm×4.4mm。据介绍，SJDT170R1400专门针对1700V耐压的用途，实现了6.85mm的爬电距离。采用D2PAK-7L封装的产品将从2012年第三季度开始样品供货，采用TO-247-3L封装的产品已经开始样品供货。（记者：根津祯，《日经电子》）

欢迎访问e展厅

展厅
 13 PCB/其它元器件展厅
 PCB线路板, IGBT模块, PIM功率模块, 可控硅模块, 红外线接收头, ...

【发表评论】【新闻评论】【论坛】【收藏此页】

更多有关PCB/其它元器件的新闻：

·[图]Silicon Labs发布时钟行业超小尺寸、超低抖动的I2C可编程晶体振荡器 9/24/2020
·[图]SABIC 沙特基础工业公司推出LEXAN™ CXT耐高温薄膜，为印刷电子基板提供高温稳定和高透明解决方案 11/14/2018
·[图]Microchip发布全新DSA系列汽车级MEMS（微机电系统）振荡器产品 3/27/2018
·IR创推出高度创新的车用IGBT平台COOLiRIGBT 5/18/2012
·Microsemi新推1200V非穿通型IGBT 采用Power MOS 8技术 5/18/2012
·[图]IDT发布新型4M系列振荡器，可替代传统六管脚晶体振荡器 5/15/2012
·IDT推出相位抖动低于1ps的压电MEMS振荡器 5/14/2012
·[图]安森美为高性能电源转换提供新系列场截止型IGBT 5/12/2012
·飞兆发布光耦合器FOD8320，具高绝缘电压和抗噪性能 5/10/2012
·三菱电机将发售配备第6代IGBT的光伏及风力发电系统用功率模块 5/10/2012

对 PCB/其它元器件有何见解？请到 PCB/其它元器件论坛畅所欲言吧！