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东芝开发出用于16nm工艺以后半导体布线的探针技术
http://cn.newmaker.com 1/27/2011 12:55:00 PM  日经BP社
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东芝宣布,与技术研究联盟BEANS研究所及东京大学联合开发出了计划应用于16nm工艺以后半导体布线图案的探针技术。

通过按照AFM(原子力显微镜)的要领在Si基板上进行探针扫描来绘制布线图案。一边在Si基板和探针之间加载电压一边扫描时,在Si基板和探针的接触部分会产生电化学反应,从而能够局部形成SiO2等。不过,以前的探针(Si悬臂梁)的尖端部分在扫描中会磨损,施加400nN的压力,最多扫描0.8mm。

此次分别制作了探针的物理接触部分(Si部分)和电接触部分(金属部分)。具体做法是在长方形Si片上雕刻多个沟槽、在沟槽侧壁上形成金属膜,以用于探针尖端。Si部分逐渐磨损,而电接触部分却始终保持一定的形状,因此能够长期使用。据东芝介绍,现已实际证实,施加400nN的压力可扫描20mm,耐用性提高到了原来的25倍。


此次开发的探针。即使整个接触面磨损,绿色金属部分的形状也不会改变。

据了解,目前金属膜的厚度为200~300nm,今后如果减小薄膜厚度,就能够描绘更加微细的图案。除用于半导体布线图案外,还可以用于基因评价装置的检查部分和硬盘的磁头部分等。

此次开发的成果将于27日(当地时间)在墨西哥坎昆举行的国际学会“IEEE/MEMS2011”(2011年1月23日~27日)上发表。另外,此次研究开发的一部分是作为NEDO委托的“BEANS项目:异领域融合型新一代元件(Bio Electromechanical Autonomous Nano Systems)制造技术开发项目”的一部分而实施的。

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