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飞思卡尔半导体推出一款R FLDMOS功率管

http://cn.newmaker.com 11/13/2010 11:28:00 AM 佳工机电网

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展厅 13	PCB/其它元器件展厅 PCB线路板, IGBT模块, PIM功率模块, 可控硅模块, 红外线接收头, ...

飞思卡尔半导体推出一款R FLDMOS功率管，工作频率为1.8至600MHz，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供300W CW的全额定输出功率。

MRFE6VP6300H产品是这个性能级别里唯一商用的50V LDMOS晶体管产品。有了这款新晶体管，CO2激光器、等离子体发生器、磁共振成像扫描仪和其他工业设备的制造商可以获得前所未有的稳定性和射频功率性能。

MRFE6VP6300H可用于推拉式或单端配置，并放置在紧凑型NI780-4陶瓷封装中。频率为130兆赫时，该设备生成300W的CW输出功率，增益为25分贝，效率达80%。该MRFE6VP6300H还包含创新的静电放电（ESD）保护技术，这不仅使它成为第三类功率器件，还支持大的栅源电压范围（-6V至+10 V），因而在高效模式（如C类）下运行时能提高性能。

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