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美国应用材料发布面向45nm以后工艺的激光退火装置 |
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http://cn.newmaker.com
12/4/2009 3:48:00 PM
日经BP社
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美国应用材料公司(Applied Materials)发布了能够以ms为单位进行退火的激光退火装置“Applied Vantage Astra”。主要在形成45nm工艺以后逻辑LSI的镍硅(NiSi)接触时使用。台湾台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing,TSMC)已决定在28nm工艺的逻辑LSI上采用该装置。
Applied Vantage Astra可采用波长为810nm的固体激光来局部提高晶圆表面的温度。例如,可在ms单位内将200℃以下的晶圆表面加热至1000℃以上。用于形成MOS晶体管源漏极的镍硅接触时,通过减小镍硅中的缺陷、以及改善界面状态,晶体管的通态电流增加了3~4%。
除了镍硅外,该装置还可用于High-k/金属栅极、三维元件和内存等领域。应用材料将在“SEMICON JAPAN 2009”(12月2日~4日,幕张Messe会展中心)上介绍Applied Vantage Astra。
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