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Vishay 的新型 Siliconix 20V TrenchFET® 第三代功率 MOSFET再创业界最佳导通电阻记录 |
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| http://cn.newmaker.com
11/20/2008 8:29:00 AM
佳工机电网
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 器件采用87nC 的PowerPAK® SO-8 封装,具有业界最佳导通电阻与栅极电荷乘积 FOM
宾夕法尼亚、MALVERN —2008 年 11 月 20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。
SiR440DP 在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.0mΩ，在 10V 栅极驱动时最大导通电阻为 1.55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中MOSFET 的关键优值 (FOM)，在 4.5V 时为 87。
与为实现低传导损耗及低切换损耗而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格表示在 4.5V 及 10V 时导通电阻分别降低 23% 与 22.5%，FOM 降低 27%。更低的导通电阻及栅极电荷意味着更低的传导损耗及切换损耗。
Vishay Siliconix SiR440DP 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用中用作低端 MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。
Vishay还推出了新型 20V SiR866DP 和 SiR890DP n 通道功率 MOSFET。这些器件在 4.5V 时分别提供 2.5mΩ 与 4mΩ 的导通电阻，在 10V 时为 1.9mΩ 及 2.9mΩ，典型栅极电荷为 35.3nC 及 20nC。所有这三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封装。这些器件无铅 (Pb)，无卤素，并且符合 RoHS 标准，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。
目前，SiR440DP、SiR866DP 和 SiR890DP可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。
VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
Siliconix创建于1962年，在1996年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。
有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。
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