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日本开发出低成本三维硅贯通布线工艺
http://cn.newmaker.com 6/27/2008 8:38:00 PM  日经BP社
日本开发出低成本三维硅贯通布线工艺早稻田大学发布了能够利用硅通孔(TSV)布线以低成本制造三维积层LSI的工艺。该工艺由早大大学院先进理工学研究科庄子研究室开发,日本IBM东京基础研究所也予以参与。

该工艺通过利用垂直方向的多条布线连接高速处理器与DRAM等内存,实现了高速运算。为了在芯片内形成为数众多的垂直布线,早大此次以缩小布线间隔为目标,实际制作了20μm间隔的布线。

该工艺通过连续形成凸点和垂直布线,简化了工艺流程。具体步骤如下。

首先,在事先减薄的硅晶圆上打通布线用孔。此次的晶圆厚度为75μm。然后通过氧化工序,在包括孔内壁在内的所有表面上形成绝缘膜。之后利用光刻胶,把晶圆底板粘贴在载有种层(用于电镀形成凸点)的硅底板上。单独去除贯通孔中的光刻胶,通过电镀,在去除的部分上形成金属(此次为Sn-Cu)作为凸点。然后,再通过电镀在孔中填充金属(Cu-Sn或Ni)。最后去除载有种层的硅底板。

该方法虽然使用了电镀等处理时间较长的工艺,但具有能够连续完成凸点形成和填充的优点。通过简化工序可以降低成本。这次,早大以20μm间隔形成了直径10μm长75μm的垂直布线和高4μm的凸点,布线中没有发现空穴。

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