新的Power MOS 8(r) IGBT系列的导通损耗低，其600V和900V器件的VCE(ON)－导通压降典型值分别是2.0V和2.5V，因此使整个电路的效率得到提高。由于开关损耗低，新系列的IGBT器件能够工作在高于100kHz的频率—已经非常接近功率MOSFET的工作频率，而且新系列IGBT的成本较低。
Power MOS 8(r) IGBT系列能够提供单个封装的器件，也能够提供与DQ系列快速软恢复二极管封装在一起的组合器件。现在可提供样品。对于批量为1K的订货，单个分立器件的单价为$2.09~ $7.04，组合器件的单价为$3.01~ $9.44。有关产品的技术资料可在Microsemi的网站获得：http://www.microsemi.com。
部分Power MOS 8(r) IGBT新系列的器件及其参数如下所示。其他的器件都已列入了Microsemi的网站和最近的目录中。
