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| Vishay 推出业界最薄的新型 20V P 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET
4/9/2008 9:03:00 AM |
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厚度仅为 0.59mm
采用芯片级封装的新款MOSFET器件将最小的占位空间与最佳的导通电阻性能进行了完美的结合
宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 4 月 9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET，该器件采用 MICRO FOOT® 芯片级封装，具有此类器件中业界最薄厚度及最低导通电阻。
Vishay Siliconix Si8441DB 具有 0.59mm 的超薄厚度，以及 1.5mm×1mm 的占位面积，这也是在 1.2V 额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该器件的典型应用包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的负载开关及电池保护。
Si8441DB 提供了 1.2V VGS 时 0.600Ω 至 4.5V VGS 时 0.080Ω的导通电阻范围，且具有最高 ±5V 的栅源电压。其在 1.2V 额定电压时出色的低导通电阻性能降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间。
Vishay同时还推出了采用相同 MICRO FOOT® 芯片级封装的另一新款 MOSFET 功率器件--- 20V p 通道 Si8451DB。Si8451DB 的最高额定栅源电源为 8V，其导通电阻范围介于 1.5V 时 0.200Ω 至 4.5V 时 0.80Ω，这是迄今为止具有这些额定电压的器件所实现的最佳值。
随着便携式电子设备的体积越来越小以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小的 MOSFET 封装 — 这恰恰是Vishay的 Si8441DB 及 Si8451DB 所具有的特点。
目前，上述两款新型 MICRO FOOT® 芯片级封装功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。
有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。
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Vishay 威世公司联系方式：
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http://www.vishay.com
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