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日立高科发布新型FEB测长仪CD-SEM CG6300,用于7nm和10nm元件
http://cn.newmaker.com 7/16/2015 8:36:00 AM  日经BP社
日立高科发布新型FEB测长仪CD-SEM CG6300,用于7nm和10nm元件日立高新技术公司于2015年7月14日发布了FEB(Field Emission Beam,场发射电子束)测长装置的新产品“CG6300”。该机型可满足7nm工艺元件开发和10nm工艺元件量产时的工艺控制需求,预定2015年10月开始销售。

据日立高新技术公司介绍,在7nm及10nm元件的微细化方法中,目前的主流是利用液浸曝光机实施LELELE(litho-etch-litho-etch-litho-etch,曝光-刻蚀-曝光-刻蚀)的反复工艺,以及利用液浸曝光机和成膜及刻蚀装置等实施SAQP(Self Align Quadruple Patterning)的多重图案形成技术。

另外,在FinFET、三维NAND闪存及DRAM方面,随着结构向三维化及大宽高比化发展,深沟槽及孔底的尺寸测量也要非常准确。而且,伴随微细化进程,掩模及检查工序的数量也在增加,成为尖端元件厂商的一大课题。

新产品G6300在开发中更新了已有机型“CG5000”的电子光学系统,由此增强了分辨率,提高了测长再现性及画质。电子显微镜镜体可根据计测对象,选择由材料检测出的二次电子或反向散射电子,因此可针对BEOL(Back End Of line)工序中的Via-in-trench、三维NAND闪存以及DRAM,测量深沟槽及孔底的尺寸。

另外,通过将电子束扫描速度较原来提高一倍,还可降低晶圆表面的带电影响,获得高分辨率图像,并实现基于高对比度的边缘检测。同时,新产品还重新设计了载物台,使单位时间的晶圆处理量比原来提高了20%。(记者:小岛 郁太郎)

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