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MACOM推出用于GaN制RF晶体管的偏压控制模块 |
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| http://cn.newmaker.com
4/10/2015 10:02:00 AM
日经BP社
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 美国M/A-COM Technology Solutions推出了用于GaN（氮化镓）制RF晶体管的偏压控制模块“MABC-001000-DP000L”。其作用是向GaN制RF晶体管加载适当的固定栅极电压，同时作为偏置用途供应脉冲漏极电压。新产品还配备了序列（Sequence）功能，可以在负偏压没有加载到栅极时，防止向漏极供应脉冲电压。除了GaN制RF晶体管以外，此次产品还可以用于GaAs制RF功率放大器以及HEMT（高电子迁移率晶体管）元件。
新产品的正电源电压为+12～55V（标称值为+50V），负电源电压为-8～-2V（标称值为-6V），相对于栅极的偏置输出电流为50mA（标称值），开漏输出电流为200mA（最大值），开关切换时间为500ns（最大值），所有的输入输出（I/O）端子都带有30dB（标称值）的EMI/RFI去除功能。模块的封装面积为6.60mm×22.48mm，工作温度范围为-40～+85℃，价格尚未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）
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