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罗姆开发出兼具超结型MOSFET和IGBT优良特性的新型高耐压开关元件 |
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| http://cn.newmaker.com
4/6/2013 1:07:00 PM
日经BP社
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罗姆2013年4月2日宣布开发出了兼具超结（SJ）型功率MOSFET和IGBT优良特性的新型高耐压开关元件。该公司将其命名为“Hybrid MOS”，预定2013年夏季前后开始提供样品。
Hybrid MOS既具备SJ型功率MOSFET的高速开关特性与良好的低电流性能，又具备IGBT的高耐压特性。此前，要求具备节能性的电子设备一直使用具有高速开关特性和良好低电流性能的SJ型功率MOSFET。但是，工业用大功率设备要求能在高温下工作并具备良好的大电流性能，而大电流性能不佳的SJ型功率MOSFET无法完全满足其要求，因而只能采用IGBT。因为在大电流区域，电源电路的转换效率降低，发热量增加，容易导致热破坏。据罗姆介绍，如果采用此次开发的Hybrid MOS，无论是在低电流区域还是大电流区域，均可获得较高的转换效率。该产品主要用于服务器、工业设备、节能家电等配备的电源电路及功率因数校正（PFC）电路。
元件的构造方面，罗姆介绍说，“运用了开发SJ型功率MOSFET时积累的技术，采用了控制晶圆背面的新构造”。（特约撰稿人：山下 胜己）
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