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Diodes上市高密度DC-DC转换器用MOSFET模块
http://cn.newmaker.com 6/10/2015 8:52:00 AM  佳工机电网
Diodes上市高密度DC-DC转换器用MOSFET模块美国达尔科技上市了高电力密度的降压型DC-DC转换器用功率MOSFET模块“DMC1028UFDB”。该模块将n沟道型功率MOSFET和p沟道型功率MOSFET收纳在了一个封装内。封装采用外形尺寸为2.0mm×2.0mm×0.6mm的6端子U-DFN2020。适用于将+3.3V输入电压转换为+1.0V,为ASIC等的核心部供电的POL(Point Of Load)转换器。具体用途包括:路由器装置、网络接口控制器(NICs)、开关装置及DSL适配器等。

可与PWM控制IC组合使用。n沟道型功率MOSFET的耐压为+12V。最大漏电流为6.0A。导通电阻方面,栅源间电压为+4.5V时为25mΩ(最大值),+3.3V时为30mΩ(最大值),+2.5V时为32mΩ(最大值)。总栅极电荷为7.9nC(标称值)。输入电容为787pF(标称值)。输出电容为203pF(标称值)。反馈电容为177pF(标称值)。栅极电阻为4.8Ω(标称值)。p沟道型功率MOSFET的耐压为-20V。最大漏电流为-3.4A。导通电阻方面,栅源间电压为-4.5V时为80mΩ(最大值),-3.3V时为90mΩ(最大值),-2.5V时为100mΩ(最大值)。总栅极电荷为5.2nC(标称值)。输入电容为576pF(标称值)。输出电容为87pF(标称值)。反馈电容为71pF(标称值)。栅极电阻为15Ω(标称值)。价格未公布。

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