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东芝上市安装在双面散热封装中的低耐压功率MOSFET |
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| http://cn.newmaker.com
3/9/2015 8:37:00 AM
日经BP社
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东芝上市了安装在双面散热封装中的低耐压功率MOSFET。具体安装在了该公司自主开发的表面安装型封装“DSOP Advance”中，DSOP Advance配备了通过上下两面散热的金属电极。据介绍，由于散热性提高，因此可增加处理的电流量。安装面积为5mm×6mm，与采用该公司现有封装“SOP Advance”的产品端子兼容。无需改变印刷基板的布局，即可更换为DSOP Advance封装品。新产品主要用于服务器和通信设备等配备的开关电源及DC-DC转换器等。
东芝此次准备了耐压各异的4款产品。分别是+30V耐压的“TPWR8503NL”、+40V耐压的“TPWR8004PL”、+80V耐压的“TPW4R008NH”和+100V耐压的“TPW4R50ANH”。4款产品均采用n沟道。例如，+30V耐压品的特性如下。最大漏电流在连续时为150A，脉冲时为500A。导通电阻在栅-源间电压为+4.5V时为1.3mΩ（最大值），+10V时为0.85mΩ（最大值）。栅极电荷为74nC（标称值）。输入电容为5300pF（标称值）。输出电容为2700pF（标称值）。反馈电容为130pF（标称值）。栅极电阻为1.2Ω（标称值）。最大沟道温度为+150℃。
此外，+40V耐压品的导通电阻在栅-源间电压为+4.5V时为1.35mΩ（最大值），+10V时为0.8mΩ（最大值）。+80V耐压品的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为4.0mΩ（最大值）。+100V耐压品的导通电阻在栅-源间电压为+10V时为4.5mΩ（最大值）。
上述4款产品均已开始量产。价格未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）
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