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Vishay 威世公司


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Vishay推出新型高温1-W表面贴装Power Metal Strip®电阻 1/14/2009
Vishay 推出业界首款可在–65°C 到 +275°C 温度范围内工作的2010 封装尺寸电流感测电阻新型高温 1-W 表面贴装 Power Met...

Vishay 推出新系列径向铝电容器 EKX系列器件 12/5/2008
Vishay 推出面向工业、电信、数据处理系统及消费类电子应用的高性能铝电容器器件采用 14 种封装尺寸，可实现 +105°C 的高温运行宾夕法尼亚...

Vishay Siliconix推出首款采用TurboFET™技术的第三代功率MOSFET 12/4/2008
器件采用 PowerPAK® 1212-8 封装类型，导通电阻与栅极电荷乘积 FOM 在 4.5V 和 10 V 时分别低至 76.6 mΩ...

Vishay推出新系列表面贴装铝电容器 11/5/2008
Vishay 推出具有低至 90mW 的 Z 值、高达 1500µF 的高电容值及 670mA 高纹波电流的新型 ECL 系列 SMD 铝电容器 ...

Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率 MOSFET 10/29/2008
刷新了业界最佳导通电阻记录该器件提供了 89.25nC 的业界最佳导通电阻与栅极电荷乘积 FOM 宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年10...

Vishay Siliconix 推出新型三输出降压控制器 IC，真正实现高效电源转换 10/15/2008
新型 SiP12203 的同步降压架构可使电压以高达 94% 的高效率进行转换，该器件还提供调过压保护电路、欠压锁定与热关断电路等多种保护功能宾夕法尼亚...

Vishay宣布推出新型 SiP21110 250-mA LDO 稳压器 10/8/2008
低成本器件采用小型超薄 SOT23-5L 封装，提供可调输出电压及 1.0% 的高输出电压精度宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年10月8日— ...

Vishay 推出业内首款具有双面冷却功能的30V 单片功率MOSFET和肖特基二极管 9/26/2008
新型 SkyFET® 器件采用密封PolarPAK® 封装，导通电阻低至0.0024Ω，Qrr为30-nC，可处理的电流比SO-8...

Vishay 推出新型超高精度 Z 箔表面贴装倒装芯片分压器 VFCD1505 5/14/2008
器件具有低至±0.005%（50 ppm）的容差匹配和高于25000V的静电放电（ESD）保护宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 5 月14日...

Vishay 推出具有业内最低1.5Ω ESR的新型TR8 系列模塑MicroTan™钽芯片电容器 5/14/2008
该器件专用于便携电子产品，具有 1.0 μF 至220 μF的电容范围和 4 WVDC至 16 WVDC的额定电压宾夕法尼亚、MALVERN — 20...

Vishay 推出新型模拟多路复用器与开关 5/11/2008
Vishay 推出面向高精度仪表应用且具有低于 1.0pC 的超低电荷注入及低于 3pF 的低开关电容的新型模拟多路复用器与开关八款新型器件可提供 0....

Vishay推出采用超薄 1.9 毫米倒立鸥翼式封装的新型高亮度 SMD LED 5/9/2008
--黄色 VLRE31.. 系列和红色 VLRK31.. 系列器件采用 AllnGaP 技术，具有71 mcd至285 mcd发光强度范围及75 mW的...

Vishay推出新型超高精度、高分辩率 Z 箔音频电阻 5/7/2008
采用无需模塑或密封的特殊设计，可在信号处理中减少信号失真并增加清晰度器件具有 ±0.2 ppm/°C 的 TCR、±0.01% 的容差且电流噪声小于 -40...

Vishay 推出四款具有超快、超稳定的反向恢复时间及低正向压降性能的新型 600V PFC 高频整流器 4/25/2008
这些高效器件具有 19ns 与 20ns 反向恢复时间及 1.7V 与 1.9V低正向压降额定值，采用 2 针脚及 3 针脚 TO-220 FULLPAK 封装...

Vishay 推出业界最薄的新型 20V P 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET 4/9/2008
厚度仅为 0.59mm 采用芯片级封装的新款MOSFET器件将最小的占位空间与最佳的导通电阻性能进行了完美的结合宾夕法尼亚、MALVERN — 2...

Vishay推出Siliconix TrenchFET® 第三代系列的首款器件--新型30V TrenchFET功率MOSFET 3/27/2008
该器件不仅具有在 4.5V 栅极驱动电压下最大2.25毫欧的业界最佳导通电阻性能，而且还具有 98 毫欧-纳库仑的业界最佳导通电阻与栅极电荷乘积指标宾夕...

Vishay推出新系列半桥 600V 及 1200V IGBT 模块 3/15/2008
Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A～200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 1200V IGBT 模块标准及超快速器...

Vishay推出新型暖白色功率SMD LED 3/14/2008
--- VLMW611系列与 VLMW621系列，并采用厚度仅为 0.9mm 的业界最薄的 CLCC-6 扁平封装器件采用 InGan 技术，具有 1...

Vishay推出采用三种标准芯片尺寸的新型铂SMD倒装片温度传感器 3/11/2008
器件具有 ≤5s（空中）的短反应时间、-55°C～+155ºC 的宽泛温度范围，以及低于 <±0.04% 的温度特性稳定性宾夕法尼亚、MA...

Vishay 推出新型高可靠性厚膜电阻 3/8/2008
器件具有超低至 10mΩ 电阻值、±1% 及 ±5% 小容差、且 TCR 低至 ±100 ppm/K 的特性宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年...

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