佳工机电网 在线工博会 我的佳工网 手机版 English
关键字  
  选择展区 >>
您的位置: 首页 > 电子元器件及材料展区 > 二极管、三极管展厅 > 产品库 > MOSFET > 新闻 > 正文 产品 会展 人才 帮助 | 注册 登录  
二极管、三极管
 按行业筛选
 按产品筛选
本产品全部新闻


e展厅 产品库 视频 新闻 技术文章 企业库 下载/样本 求购/论坛
  市场动态 | 技术动态 | 企业新闻 | 图片新闻 | 新闻评论 佳工网行业新闻--给您更宽的视角 发表企业新闻 投稿 
瑞萨电子推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管
http://cn.newmaker.com 7/12/2012 2:26:00 PM  佳工机电网
欢迎访问e展厅
展厅
1
二极管、三极管展厅
晶体管, LED, 二极管, 高压二极管, 三极管, ...
瑞萨电子公司,高级半导体解决方案的主要供应商,日前宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管(超级结MOSFET),具有如下的特点:600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷,适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。这一行业领先的低导通电阻和低栅极电压的组合平台,同时结合了快速体二极管的性能,使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE这三款器件有助于提高家用电器电机驱动的效率,如空调等采用带逆变控制的高速电机的家电。

近年来,对于环保的日益重视使人们不断致力于提高电子设备的能源效率并减少能源消耗。特别是对于空调和电视等家用电器中的电源电路,更加强调要降低能耗并提高效率。这就催生了对于降低这些产品中,功率器件功耗的需求(这是更低导通电阻和更好的开关特性的功能),从而提高整体的能源使用效率。

过去,采用高压、高速电机和逆变器的空调和其它家用电器,一般会在一个封装中采用带分立式快恢复二极管(FRD)的IGBT,以实现短的反向恢复时间(trr)。目前,对于更加高速开关的需求,以及在稳态运行和高性能状态下的更低功耗需求,产生了对于带快速恢复体二极管特性的超级结MOSFET的需求。与传统的平面架构不同,超级结MOSFET在不降低器件耐压能力的情况下,降低了导通电阻,使其可以产生具有每单位面积更低的导通电阻。随着行业向着更加节能的方向发展,为了满足对于这些器件日益增长的需求,瑞萨公司利用其在功率器件技术方面积累的丰富经验,新开发了一系列采用高速体二极管的高性能超级结MOSFET,实现了低功耗,并提升了高速开关性能。

新款超级结MOSFET的主要特性:

(1) 业界领先的低导通电阻

凭借从早期为PC服务器和LCD TV等应用所设计的超级结MOSFET器件中积累的经验,瑞萨已经在具有低栅极电压的600V功率半导体器件上实现了150 mΩ(典型值)的导通电阻。这就为采用高速电机和逆变控制的家用电器等应用实现了电源效率的改善。

(2)更短的反向恢复时间

新款超级结MOSFET器件具有内置的快速体二极管,其规格优化用于高速电机控制应用。二极管的反向恢复时间显著缩短,仅为150ns,约为现有类似功率超级结MOSFET器件中二极管的三分之一。

(3)高速开关性能,显著降低鸣响等副作用

瑞萨通过优化表面结构,改进了漏栅电容,从而最大限度地减少鸣响,同时还保证了高速的开关性能。这一改进有助于降低功耗和稳定操作,特别适用于三相桥式电路,广泛用于高速电机和逆变器控制应用中。

瑞萨通过提供总的信号链解决方案持续为客户提供技术支持,方案将微控制器(MCU)与模拟和功率器件相结合,并希望增加其作为功率半导体器件全球领先供应商的地位。瑞萨考虑将这一新的高精度超级结MOSET器件系列作为其高压功率器件阵列的核心,旨在进一步增强其产品系列。瑞萨还将针对电机和反极器应用扩大其配套解决方案的范围,将新的超级结MOSFET器件与瑞萨RL78系列低功率MCU,RX系列中档MCU、以及用以驱动功率半导体器件的光耦相结合。整合了新型超级结MOSFET器件的参考开发板也计划推出,从而为客户提供配套评估和产品设计方面的支持。

超级结MOSFET器件的外形可采用相当于下列工业标准封装:TO-220FP (RJL60S5DPP), TO-3P (RJL60S5DPK)和LDPAK (RJL60S5DPE)

价格和供货情况

瑞萨电子新款RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE SJ- MOSFET将于2012年9月推出,价格为每片US$2.0。量产计划于2012年12月进行,到2013年3月三种产品的月产量总额将达到500,000片。

发表评论】【新闻评论】【论坛】【收藏此页
更多有关MOSFET的新闻: more
·[图]Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET 12/9/2014
·[图]IR推出抗辐射的功率MOSFET,耐压20V、导通电阻15mΩ 8/21/2013
·[图]Vishay Siliconix 的新款 N沟道TrenchFET®功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录 6/28/2012
·[图]瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET 6/26/2012
·[图]IR推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列 6/25/2012
·NXP新型MOSFET扩展超小型MOSFET产品组合 6/25/2012
·[图]罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制因SBD内置和体二极管导致的通电劣化现象 6/18/2012
·NXP Trench 6 MOSFET通过175℃高温下超过1,600小时的延长寿命测试 6/11/2012
·NXP发布采用Trench 6技术的全新汽车级功率MOSFET 6/6/2012
·Microsemi RF功率MOSFET产品线新增成员DRF1400 6/5/2012
更多有关二极管、三极管的新闻:
·[图]艾迈斯欧司朗推出新款白光LED,提供高效的植物照明解决方案 6/27/2021
·[图]性能更佳,固化更快 - DELO推出结构紧凑、效率更高的 LED 点光源固化灯控制单元 1/8/2021
·[图]Microchip 推出最新一代汽车用700 和 1200V 碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管 10/28/2020
·[图]Osram Osconiq S 3030 QD LED 创新量子点技术让LED更高效 10/21/2019
·[图]Vishay的新款带硅树脂透镜和陶瓷底的高功率UV LED具有极长使用寿命 10/13/2015
·[图]Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET 12/9/2014
·[图]Semtech推出符合AEC-Q100标准的车用瞬态二极管 12/9/2014
·[图]IR推出抗辐射的功率MOSFET,耐压20V、导通电阻15mΩ 8/21/2013
·日本京都大学试制出耐压超过20kV的SiC二极管 7/10/2012
·飞思卡尔推出增强耐用性的射频功率晶体管 6/29/2012
查看与本新闻相关目录:
·电子元器件及材料展区 > 二极管、三极管展厅 > MOSFET > 二极管、三极管技术动态

对 二极管、三极管 有何见解?请到
二极管、三极管论坛 畅所欲言吧!





网站简介 | 企业会员服务 | 广告服务 | 服务条款 | English | Showsbee | 会员登录  
© 1999-2024 newmaker.com. 佳工机电网·嘉工科技