日前，集设计，开发和全球销售的功率半导体供货商AOS半导体有限公司（AOS），发布了具有行业领先标准的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它们的DFN3X3封装厚度只有超薄的0.8毫米。
新的产品上应用了AOS的AlphaMOS专利技术。这些技术的好处在于它可以延长电池的使用寿命，还可以使设计变的更简单紧凑，适用于可携式产品，例如：平板计算机、智能手机,电子书、笔记本计算机、数码相机及可携式音乐播放器。
AON7421和AON7423是20V P沟道MOSFET，它们的RDS(ON)是目前市面上具有相同封装的同类产品中最低的。在栅极电压为2.5V时，AON7421的RDS(ON)比其它竞争者要低20%。AON7423是一款低开启门限电压的MOSFET，低至1.5V，适合应用在低电压范围的负载切换。
AOS低压MOS的负责人Peter Wilson介绍：“AOS长期致力于给客户提供高效能的电源解决方案。这个系列的20V P沟道AlphaMOS产品设定了高功率密度和高效能的新基准，符合了延长电池寿命的要求。”所有的产品都是无卤的而且出厂时会100%检测Rg和UIS。
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