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2/17/2012 10:20:00 AM
佳工机电网
其中包括业内最小的1mm x 1.5mm尺寸器件，及1.6mm x 1.6mm尺寸30V器件中导通电阻最低的器件
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 2 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET，是目前市场上尺寸最小的此类器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。
Vishay的TrenchFET Gen III p沟道MOSFET使用了先进的加工工艺，在每平方英寸的硅片内装入了10亿个晶体管单元。这种最前沿的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，把目前业内最好的p沟道MOSFET所能达到的导通电阻降低了近一半。芯片级的MICRO FOOT技术不但能节省空间，实现更小、更薄的终端产品，而且能够在给定的外形内使用更大的硅片。
对于设计者，Si8487DB和Si8497DB为他们提供了满足其特定应用需求的外形尺寸和导通电阻。对于小占用空间能够带来产品增值的场合，1.5mm x 1mm的Si8497DB同时具有0.59mm的最大高度，以及4.5V、2.5V和2.0V下53mΩ、71mΩ和120mΩ的低导通电阻。对于低导通电阻是重要考虑因素的应用，Si8487DB能在10V、4.5V和2.5V下提供31mΩ、35mΩ和45mΩ的低导通电阻，0.6mm的最大高度，以及此类p沟道功率MOSFET中最低的导通电阻值。
其中包括业内最小的1mm x 1.5mm尺寸器件，及1.6mm x 1.6mm尺寸30V器件中导通