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日本开发出可使DRAM电容器电极深度提高至以往6倍的钌（Ru）成膜材料 |
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| http://cn.newmaker.com
2/1/2012 6:34:00 PM
日经BP社
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日本田中贵金属工业与九州大学研究生院工学研究院应用化学部门教授小江诚司，共同开发出了可使DRAM电容器电极深度提高至以往6倍的钌（Ru）成膜材料。田中贵金属工业计划在2012年完成新材料的产品化，以便促进开发新一代DRAM的半导体厂商在制造工序中全面引进有机金属化学气相沉积法（MOCVD）。
此次的材料将用于20nm以后的新一代DRAM中。可均匀形成为获取表面积深挖而成的电容电极。可应用于深度为10μm、开口直径为250nm等长宽比为40的深孔中。以往MOCVD法使用Ru材料能形成的电极薄膜细孔长宽比最高仅为6。
此次开发出的Ru材料是用环辛四烯与羰基有机化合物与Ru合成的有机金属错合物，成膜时容易蒸发，因此易于析出金属。165℃的低温下也可在长宽比为40的细孔内部，以70％的覆盖率形成Ru薄膜。另外，还可用于在氧化破坏较少的氢气（H2）环境下成膜。此次开发出的Ru材料可比原有材料更为平滑地成膜，膜厚为12nm时的RMS值降至1.1nm以下。成膜工序中有机化合物的分解物不易混入金属内，可形成高纯度的Ru膜。此次开发出的Ru材料还有一个特点就是熔点较低、可在室温下为液体，因此便于运输和使用。（记者：三宅 常之，Tech-On！）
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