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瑞萨电子将于2013年量产支持Wide I/O DRAM的移动SoC用TSV技术 |
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| http://cn.newmaker.com
1/26/2012 6:52:00 PM
日经BP社
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为支持已由JEDEC标准化的Wide I/O DRAM，日本瑞萨电子在该公司的移动SoC上采用了TSV（硅通孔）技术。目前正在进行TEG技术评测，计划2013年量产。瑞萨在“第13届半导体封装技术展”上展板展示了TSV技术的概要。
Wide I/O DRAM是JEDEC于2011年12月制定的移动DRAM标准，通过将数据输入输出宽度扩大至512bit，实现了DRAM的高速化和低耗电化。由于该DRAM经由1200端子的微焊点层叠连接到SoC的背面，因此SoC上需要采用TSV。
从事移动SoC业务的瑞萨电子计划首先在手机应用处理器上采用TSV。采用TSV后必须改变SoC的电路布局，因此瑞萨目前正通过TEG验证根据TSV改变了布局的IP。另外，该公司还在探讨配备Wide I/O DRAM的SoC测试方法。
此外，瑞萨电子计划把尖端SoC的生产外包给外部硅代工企业，TSV生产也考虑委托给硅代工企业。（记者：木村 雅秀，《日经电子》）
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