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英飞凌推出TO无铅封装的汽车电源MOSFET |
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| http://cn.newmaker.com
1/10/2012 6:32:00 PM
佳工机电网
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 随着能源消耗的日益加剧，全球气候变暖问题突出，开发绿色能源和提倡节能减排已成为各国共识。英飞凌科技股份有限公司日前推出的采用TO无铅封装的汽车电源MOSFET系列产品为环保树立了榜样。其新型40V OptiMOS T2 MOSFET结合创新的封装技术及英飞凌的薄晶圆制程技术，拥有同级产品极佳规格。英飞凌采用扩散焊接粘晶技术所生产的无铅封装包括TO-220、TO-262以及TO-263。
英飞凌专利的无铅粘晶(die attach)技术采用扩散焊接，可提升电性与散热表现、可制造性以及品质。该粘晶技术搭配英飞凌的薄晶圆制程(60μm，标准为175μm)，为功率半导体提供多项改良。首先它不使用铅及其他有毒物质；由扩散焊接粘晶技术结合薄晶圆制程而大幅降低封装的导通电阻值RDS(on)；热阻(RthJC)改善率高达40-50%。由于没有焊锡流迹(Bleed-out)及晶片倾斜(Chip tiltness)的问题，以及更收敛的RDS(on)与RthJC分布，提供了更佳的可制造性。降低产品内的机电应力，也提升了产品可靠性和品质。
英飞凌的MOSFET新系列产品超越了现行欧盟RoHS对于含铅焊锡封装的规范。更严格的ELV RoHS标准可能将于2014年施行，届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为业界首款无铅封装MOSFET，英飞凌的新产品满足更严格的要求。由于封装几何方面对于晶粒焊垫厚度与晶片尺寸的特殊要求，现今扩散焊接粘晶技术仅适用于上述三种英飞凌所提供的封装形式，OptiMOS T2系列产品的量产已准备就绪。
英飞凌汽车电子事业处标准电源产品副总裁暨总经理Frank Schwertlein表示：“英飞凌在功率半导体和相关封装技术方面皆为业界之首。而今，英飞凌再度成为全球率先推出无铅封装的晶片供应商，提供汽车产业客户因应未来，符合RoHS且环保的MOSFET，协助客户开发节能的绿色产品。”
从新款OptiMOS T2 40V(如：IPB160N04S4-02D，160A)的规格得知，其RDS(on)仅2.0m?且RthJC仅0.9K/W。相较于使用标准铅焊接的同类产品，其导通电阻降低了约20%。此外，英飞凌专利的扩散焊接技术可减少“晶片至导线架”的热阻抗，让新型OptiMOS T2产品拥有同级产品中极佳效能。
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