DRAM广泛用作个人电脑、便携终端和服务器等多种电子产品的主存储器。主存储器用DRAM的高速化、低耗电量化和小型化呈现出顺利推进的趋势。原因是美国美光科技（Micron Technology）将开始量产供货通过硅通孔（Through-Silicon Via：TSV）连接沿三维方向积层的多枚DRAM芯片的新型存储器“Hybrid Memory Cube（HMC）”。
有助于实现多端子化和缩短布线距离
首先，采用TSV后能够实现高速化的原因有两个，并且与DRAM芯片和控制器之间信号传输有关。一是可大幅增加端子数量，另一个是可缩短布线距离。
关于端子数量，现有产品这几年一直停留在几百个端子的水平上。而如果采用可通过半导体前工序技术制造的TSV，则可以实现远超1000个的端子数量。这样可以增加传输路径，因此有助于实现高速化。
关于布线距离，将布线由目前的水平方向改成垂直方向可以缩短距离。现有DRAM模块大多将DRAM封装平放。模块尺寸方面，就连用于笔记本电脑的模块也仅为70mm×30mm左右。由于会将DRAM模块与另外封装的控制器平放排列，因此布线距离会达到几十mm。 
图1：Hybrid Memory Cube的构造
三维积层的多枚DRAM芯片通过TSV（Through-Silicon Via）连接。由此可以实现DRAM模块等的高速化、低耗电量化和小型化。
HMC将DRAM芯片按照垂直方向积层，因此可以将DRAM模块尺寸缩小到1个封装大小。DRAM芯片间的布线长度会变短，而且HMC和控制器也会进行三维积层，由此便可以将两者的布线距离缩短至几mm。
鉴于上述理由，HMC在计算存储器性能方面，可将速度提高至原来的15倍左右。HMC试制品的最大数据传输速度为128GB/秒，远远高于现有最尖端品的12.8GB/秒。
采用HMC可以大幅削减存储器子系统的耗电量和封装面积。与原来相比，可将数据传输所需耗电量和封装面积分别削减约70％和1/10。
HMC的生产将利用与美光进行合作的美国IBM公司的三维LSI制造技术进行量产。构成HMC的部件预定在IBM位于美国纽约州东菲什基尔（East Fishkill）的半导体工厂采用32nm级high-k金属栅极工艺制造。（记者：大石 基之，《日经电子》）
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