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Diodes首款DFN1212-3封装MOSFET助力实现低温操作

http://cn.newmaker.com 12/31/2011 6:22:00 PM 佳工机电网

Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装的MOSFET。该器件的结点至环境热阻 (Rthj-a) 为130℃/W，能于持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthj-a性能为280℃/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。

这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样，印刷电路板 (PCB) 面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热力效能则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET可简易替换高可靠性的讯号及负载开关应用，用于包括数码相机、平板计算机及智能手机在内的高便携式消费电子产品。

Diodes公司首次推出的这对MOSFET，额定电压为20V，包含DMN2300UFD N信道及DMP21D0UFD P信道组件。在VGS为1.8V的情况下，该N信道MOSFET的典型导通电阻为400mΩ，比最受欢迎的同类型SOT723封装MOSFET大约低50%，有效大幅减少传导损耗及功率耗散。

Diodes稍后亦会推出采用DFN1212-3封装、额定电压为30V与60V的组件，以及一系列双极型器件。

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