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CREE推出业界首款符合全面认证的碳化硅MOSFET芯片 |
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| http://cn.newmaker.com
12/30/2011 8:22:00 PM
佳工机电网
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科锐公司（CREE）将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。
功率模组通常将MOSFET和二极管等一系列分立功率开关器件封装在一个独立的集成封装内，可应用于三相工业电源、通讯电源系统以及太阳能和风能系统中 功率逆变器等高压电力电子应用领域。在传统MOSFET封装技术中，长引线中的寄生电感会限制碳化硅MOSFET的转换性能。通过使用科锐替代型裸芯片，电路设计人员能够充分利用碳化硅技术转换性能的优势，有效地降低封装中寄生电感的影响。
科锐新型MOSFET系列功率器件目前已发布两个型号CPMF-1200-S080B封装尺寸为4.08 mm × 4.08 mm，额定电压/电流为1200 V / 20 A，标准导通电阻为80 mΩ；CPMF-1200-S160B的封装尺寸为3.1 mm × 3.1 mm，额定电压/电流为1200 V / 20 A，标准导通电阻为160 mΩ。两款器件的工作结温均为-55 °C至+135 °C。
科锐两款1200V MOSFET裸芯片已经发布并能够量产使用，客户可通过科锐以及科锐无线射频（RF）代理商Semi Dice了解器件的供货情况。科锐已发布产品说明以及包括对芯片键合等详细的设计指导建议，以帮助电源模组制造商使用新器件并优化设计。同时，科锐十分愿意为客户提供碳化硅MOSFET器件模型以帮助其进行初期模拟仿真及评估。如欲下载科锐模型，敬请访问：www.cree.com/power/mosfet_model_req.asp. 如需索取样品及进一步了解科锐碳化硅功率器件的更多详情，敬请访问： www.cree.com/power。
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