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瑞萨领先业界开发出40nm工艺的MCU混载闪存技术
http://cn.newmaker.com 12/17/2011 10:21:00 AM  日经BP社
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瑞萨电子2011年12月14日宣布开发出了40nm工艺的MCU混载闪存技术。采用该技术的首款产品——车载闪存混载MCU预定2012年初秋开始样品供货。

目前正在量产的闪存混载MCU,即使是最高端产品也只微细化到90nm工艺。作为新一代产品,其他竞争公司发布了65nm或55nm工艺的技术开发,但发布40nm工艺技术的公司“我们是第一个”(瑞萨电子)。瑞萨将闪存工艺从90nm一举微细化至40nm,以此获得在该领域的技术优越性。

混载闪存采用了分裂栅(Split Gate)构造的MONOS型单元。瑞萨从150nm工艺开始利用该技术。据该公司介绍,在分裂栅构造的MONOS型单元中,由于控制栅极和存储器用栅极并列配置,因此尽管单元面积会增大,但由于控制栅极一侧可利用逻辑LSI用晶体管,因此具有防止微细化后源极-漏极间击穿(Punch Through)等的多种优点。另外,该公司的低速混载闪存采用了分裂栅构造的浮栅型单元。

瑞萨此次使用40nm工艺制造技术,试制并评测了代码存储容量为2.5MB、数据存储容量为128KB的闪存单元阵列。代码存储用途的读取速度为120MHz,比原来的90nm产品提高了20%。通过实现微细化,减小了字线和位线的寄生电容,实现了高速化。擦写次数为1000次,与原来相同。而数据存储用途的读取速度与原来相同,为10MHz,擦写次数为比原来增加25%的12万5000次。数据保存时间方面,代码存储用途和数据存储用途均可保证20年。

封装产品的可读取温度范围方面,空气温度为-40~125℃,接合温度为-40~150℃。不过,裸片封装时最大可承受170℃的接合温度。(记者:木村 雅秀,《日经电子》)

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