 IR近日推出车用MOSFET系列，可为一系列应用提供基准导通电阻(Rds(on)) ，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机(ISA)泵和电机控制，以及内燃机 (ICE) 和混合动力汽车平台上的其它重载应用。
全新沟道HEXFET功率MOSFET系列采用多款表面贴装器件(SMD)封装，电压范围从40V至200V。标准和逻辑电平栅级驱动MOSFET都为IR车用塑料封装MOSFET产品系列设定了导通电阻性能新标准。基准导通电阻在40V下最大为1.25毫欧，60V下最大为2.1毫欧，75V下为2.6毫欧，100V下为4.0毫欧。在D2Pak-7P封装中许多器件的最大额定电流达240A。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR全新车用沟道MOSFET系列可在下一代汽车应用，包括集成式起动发电机和电动助力转向系统应用中实现基准性能。”
所有IR车用MOSFET产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及100%自动晶圆级目视检查。AEC-Q101标准要求器件在经过1, 000次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过20%。然而，经过延长测试后，IR的新款AU物料单在5,000次温度循环时的最大导通电阻变化不到10%，体现了该物料单的高强度和耐用性。
新器件符合AEC-Q101标准，所采用的材料环保，不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
有关产品现正接受批量订单。
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