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三星电子开发出可擦写一万亿次的ReRAM技术

http://cn.newmaker.com 7/14/2011 9:08:00 AM 日经BP社

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韩国三星电子宣布开发出了可令新一代非易失性存储器——可变电阻式存储器（ReRAM）擦写耐性及速度大幅提高的技术。

此次开发的ReRAM技术，可擦写次数达1012（1万亿）次，比现有闪存高出6位数。开关时间也达10ns的高速，因此可用于非易失性工作存储器等。

可变电阻材料采用Ta2O5-x/TaO2-x积层膜。据三星介绍，以前需要使电阻丝（Filament）遍布满整个Ta2O5膜，而此次通过采用积层膜，使细丝只分布在Ta2O5-x上，由此增加了可擦写次数，并降低了消耗电流。

此次的开发成果已刊登在2011年7月10日出版的《Nature Materials》电子版上（英文网页）。（记者：木村雅秀）

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