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南亚和英飞凌合作研发60纳米DRAM制程 |
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| http://cn.newmaker.com
10/9/2005 11:12:00 AM
佳工机电网
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南亚科及英飞凌继2002年底宣布共同开发90纳米与70纳米的先进沟槽式(trench)DRAM制程技术后，双方日前则宣布，将继续共同开发60纳米沟槽式DRAM制程，并共同拥有新技术的使用权与专利权。新制程预计明年度进入研发阶段，2008年开始进行实际生产工作，南亚科及合资12吋厂华亚科技等，技术蓝图可望因此顺利延伸至2010年。当然对南亚科来说，为了未来能有效运用纳米技术，自建12吋厂时间压力已是迫在眉睫。
DRAM价格每年以三成至四成幅度下跌已成常态，现在DRAM厂的成本竞争优势除了来自于12吋厂的产能外，如何在最短时间内缩短制程微缩时间，则是另一个关键因素，所以南亚科及英飞凌既然已是全球DRAM市场中，仅存的2家采用沟槽式制程的DRAM厂，为了加速先进制程研发，合作开发自然成为不得不为之事。
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