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瑞萨开发出可在200℃高温下稳定工作的ReRAM技术 |
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http://cn.newmaker.com
6/17/2011 8:53:00 AM
日经BP社
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瑞萨电子在“2011 Symposium on VLSI Technology”上发布了高温下具有出色工作稳定性的ReRAM技术(论文编号:3B-4)。据瑞萨电子介绍,该项技术有望用于汽车MCU等。实验中采用了1kbit阵列。
瑞萨电子此前开发了上部电极和下部电极采用钌(Ru)、可变电阻膜采用Ta2O5/TiO2积层膜的ReRAM。据瑞萨电子介绍,该项技术中存在四大课题。(1)不清楚能微细化到何种程度。(2)成型(Forming)时的电压以及开关断开(Off Switch)时的电流较大。(3)汽车应用中比较重要的高温稳定性尚未明确。(4)开关断开电压较低,因此读取时存在开关断开的危险(读取干扰)。
为了验证(1)微细化的可行性,瑞萨电子此次试制出了直径分别为40nm、120nm和500nm的可变电阻式元件(MIM膜),并分别比较了初期状态(成型前的状态)、断开状态以及导通状态下的电阻值。另外,形成MIM膜时采用了PVD,成膜温度在350℃以下。
实验结果表明,初期状态的电阻值呈现出随着微细化而增加的趋势,但断开状态及导通状态下的电阻值,相对于元件直径来说几乎没有变化。估计是因为此次的可变电阻式元件是通过成型来形成微细丝的部件。直径为40nm的元件,相当于28nm工艺第一层金属布线的尺寸,因此可配备在28nm工艺之前的元件中。
不过,此次试制的直径为40nm的元件,将上部电极与下部电极相对配置时的直径为40nm,而实际尺寸要比这个大。据瑞萨电子介绍,该构造只是实验性的,旨在排除可变电阻式元件的侧壁部分的蚀刻损伤(Etching Damage)层所造成的影响,在实际的量产中并不适用。
(2)成型电压呈现出Ta2O5膜越厚电压就越高的趋势。因此,此次将Ta2O5膜的厚度降至11.5nm,从而使成型电压降至3V以下。另外还存在一种趋势:导通状态的电阻值越高,开关断开电流就越低。为此,瑞萨电子改变了成型时以及开关导通时的条件、将导通状态的电阻值提高至10kΩ,从而将开关断开电流降至25μA。
(3)瑞萨电子对高温下的开关特性进行评测后发现,最高可在200℃的温度下稳定工作。由于通过了250℃数据保存试验,可用于汽车MCU的混载存储器等用途。据瑞萨电子介绍,高温稳定性较高是因为在此次采用的Ta2O5/TiO2积层膜中,通过成型形成的细丝在高温下也较为稳定。
(4)瑞萨电子将下部电极的材料由钌改为钨(W),同时还采用了适当加载偏置电压的读取方式,由此明显改善了读取干扰。(记者:木村 雅秀)
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