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IR推出采用最新HEXFET MOSFET硅技术的PQFN 2mm x 2mm封装 http://cn.newmaker.com
6/16/2011 9:31:00 AM
佳工机电网
电阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。
开关 的高侧而优化的P通道器件，带来一个更简单的驱动解决方案。同时，新器件的厚度少于1 mm，使它们与现有的表面贴装技术兼容，并且拥有行业标准的占位空间，还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。
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全球功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。