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英国科学家首次在硅片上生长出通信波段QD激光器 |
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| http://cn.newmaker.com
6/15/2011 6:45:00 PM
OFweek激光网
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伦敦大学和伦敦纳米技术研究院的研究人员合作在硅片上生长出来世界上第一个通信波段（1305nm）的电光泵浦量子点激光器。
这项研究成果使得在用于数据通信的硅基光电回路上集成激光器成为可能。此前，将通信半导体激光器集成到硅基光电回路上的最好的办法是利用晶圆焊接，把混合半导体激光器材料结合到硅基片上。
在硅片上直接生长混合半导体激光材料也算一种很有效的硅基光电回路的完全集成方式，不过，这种晶体结构中的硅和混合半导体材料之间的晶格常数的巨大差异会导致电路运行效率低，半导体发光器寿命短。
伦敦大学的研究小组，通过研发量子点激光增益层结构来阻止这种位错到达激光材料层，克服了上述难题。这样就成功的得到了在硅片直接外延生长的波长1300nm，15mW电光泵浦激光器。
在2009年，该小组曾与英国EPSRC National Centre for III-V Technologies合作研究过相关课题，当时利用硅基材料直接外延生长技术获得了第一台能在70℃连续工作的25mW量子点激光器。
来自伦敦大学的刘惠云（音）说：“量子点增益层结构的利用改善了与传统量子阱结构相关的位错误差，我们的研究方式也适用于在Si/Ge基底上生长激光器，这是未来硅技术路线图非常重要的一部分。”
来自伦敦纳米技术研究中心的Alwyn Seeds则表示：“未来的工作重心将放在把激光器技术和波导技术以及电路驱动技术更好的综合，以制造出更好的硅基集成光电回路。”
参考：1. Huiyun Liu et al.， Nature Photonics （2011）： doi:10.1038/nphoton.2011.120; Published online 12 June 2011.
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