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NextPower以行业最低RDS全面提升MOSFET家族效率 |
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http://cn.newmaker.com
6/2/2011 10:12:00 AM
电子系统设计
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恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布,其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面找到了最佳平衡点,并且具有行业最低的RDS (on) (25V和30V均为亚1 mΩ级),是高性能、高可靠性开关应用的理想之选。传统方法主要着眼于降低RDS (on) 和Qg,而恩智浦NextPower则采用超结技术来优化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 与Qgd之间的平衡,从而实现强大的开关性能,减少漏极输出与源极引脚之间的损耗,同时提供卓越的SOA性能。此外,恩智浦LFPAK作为最坚固的Power-SO8封装,尺寸紧凑,面积仅为5mm x 6mm,可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。
事实/要点:
· 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六个参数方面性能表现优异:
低RDS (on) —— 拥有行业最低RDS(on)的Power-SO8封装产品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing应用下具有I2R损耗低、性能出色的特点
低Qoss,有利于减少漏极与源引脚之间的损耗,当输出引脚上出现电压变化时,还可减少输出电容 (Coss) 中存储的损耗能量
低Miller电荷 (Qgd),有利于减少开关损耗和高频开关次数
SOA性能可以极好地承受过载和故障条件
低栅极电荷 (Qg) 可以减少栅极驱动电路中的损耗
出色的额定结点温度Tj(max),坚固型Power-SO8 LFPAK封装则为条件恶劣且对可靠性要求较高的环境提供了保障
· 主要应用领域包括同步降压稳压器、DC-DC转换、稳压器模块和功率OR-ing
积极评价:
· 恩智浦半导体功率MOSFET部营销经理Charles Limonard表示:“在25V和30V条件下实现行业最低的RDS (on),这只是其突出表现的一部分。最新NextPower器件的真正突破在于,我们还可以控制MOSFET行为的各个方面——超越导通电阻和栅极电荷——为开关应用带来高性能、高可靠性和最大功效。”
关于恩智浦半导体
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长,提供高性能混合信号(High Performance Mixed Signal)和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构,2010年公司营业额达到44亿美元。更多恩智浦相关信息,请登录公司官方网站www.nxp.com 查询。
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