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英飞凌最新一代高压CoolMOS MOSFET再度创新 |
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| http://cn.newmaker.com
6/1/2011 10:57:00 AM
佳工机电网
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 英飞凌的最新一代高压CoolMOS MOSFET取得了又一项创新，设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会（5月17日至19日）上，英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS CFD2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰（EMI），提升产品的竞争优势。
650V CoolMOS CFD2集快速开关超级结技术MOSFET的优越性于一身，包括更出色的轻载效率、更低栅极电荷、易于应用和出众的可靠性等。此外，该产品具备更低单位面积通态电阻和更低容性开关损耗，允许轻松控制开关行为，并且提供了当前市场上最结实耐用的体二极管。相比于前代产品600V CFD，新推出的CoolMOS CFD2产品还降低了系统成本。总体而言，它是适用于谐振开关拓扑的最优选择。
英飞凌预计，650V CoolMOS CFD2的最大潜在市场包括太阳能逆变器、服务器、照明装置和用于通信系统的开关电源（SMPS）等。
英飞凌科技高压MOS产品线经理Jan-Willem Reynaerts指出，“凭借我们具有革命意义的CoolMOS?技术，英飞凌已成为能效及功率密度方面的市场领袖。650V CFD2解决方案进一步壮大了CoolMOS产品阵营，并且设立了新的行业标准，例如，将光伏逆变器的效率提高至98.1%。”
供货情况及定价
IPW65R080CFD（650V、导通电阻80毫欧姆、TO247封装）样片现已开始供货。起订量为1万颗时，单价为6.00美元。关于全新CFD2产品家族的更多信息，敬请登录www.infineon.com/cfd2
英飞凌在中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1996年在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有1300多名员工，已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
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