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丰田发布面向ECU用控制IC的新一代工艺技术 |
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| http://cn.newmaker.com
6/1/2011 10:16:00 AM
日经BP社
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丰田汽车就ECU的各种控制用IC的新制造工艺技术，在功率半导体相关国际学会“ISPSD 2011”（美国圣地亚哥，2011年5月23日～26日举行）上作了发布。该公司将其定位于在一枚芯片上集成CMOS、DMOS晶体管及双极晶体管等的第三代“BiCDMOS”工艺技术。此次将耐压为6V～80V的多个不同耐压晶体管集成到了一枚芯片上。基板采用SOI。
该IC具有处理各种传感器和开关输入的信号并向ECU内的MCU发送数据，以及将MCU输出的数据发送给马达和灯等功能。并且还具有向ECU内的各种电路提供电源的功能，这些功能的控制都是以一枚芯片实现的。
此次，通过采用第三代BiCDMOS工艺，将IC的芯片面积缩小到了2.4mm见方。采用第二代BiCDMOS工艺时，要实现具有相同功能的IC，需要4.3mm×3.8mm的尺寸。
除缩小了尺寸外，此次的IC还具有可在175℃的高温环境下工作的特点。丰田在发布中，还披露了高温试验的评测结果。采用第二代BiCDMOS工艺制作的IC，只能在150℃以下的环境中工作。
现有汽车上配备的是第二代产品。第三代产品有可能配备在预定2011年上市的汽车上。（记者：根津 祯）
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