ReRAM作为存储级内存（Storage Class Memory），兼具闪存的大容量性与DRAM的高速性，因而开发竞争日益激烈。如果松下能够按计划从2012年开始量产，那么该公司将有可能是业界首家实现实用化的公司。该公司打算首先以ReRAM取代闪存作为MCU的混载存储器，其优点是可以降低功耗，延长驱动设备的电池寿命。今后，混载有ReRAM的半导体产品“还存在配备于电视及蓝光光盘录像机等家电产品的可能性”（松下）。
关于ReRAM，松下曾在2008年12月举行的半导体器件相关国际会议“2008 IEDM（International Electron Devices Meeting）”上发布过采用TaOx类材料的存储元件技术。当时公开了采用180nm工艺CMOS技术生产的8kbit测试阵列的评估结果。（记者：大下 淳一）
