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赛普拉斯扩展串行nvSRAM产品线，用于仪表、工业和汽车应用 |
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| http://cn.newmaker.com
3/30/2011 10:51:00 AM
佳工机电网
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 cypress半导体公司日前宣布推出新的串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），该存储器具有I2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz（SPI器件）和3.4MHz（I2C器件）。同时，用户还可以选择集成实时时钟（RTC），用于给重要的数据打上时间标记，以便备份。
赛普拉斯的nvSRAM采用其S8? 0.13-微米 SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存储器技术制造，拥有卓越的可靠性和改善的性能。nvSRAM对于要求数据的绝对非易失性的应用（如智能电表、PLC、马达驱动、汽车电子数据记录仪、RAID系统、医疗和数据通讯系统）而言，是理想的选择。
新的串行nvSRAM系列产品包括具有多种配置的1-Mbit，512-Kbit，256-Kbit和64-Kbit器件。这些器件具有卓越的性能， SPI运行频率可达到业界领先的104MHz，具有SPI模式0和3、无限次读写和取回周期，数据保存时间长达20年。这些器件采用业界标准的8-SOIC 和16-SOIC小尺寸封装方式。欲了解赛普拉斯nvSRAM产品线的更多信息，请访问如下网址：www.cypress.com/go/NVM。
赛普拉斯非易失性产品事业部高级总监Jithender Majjiga说：“由于nvSRAM基于可行的、高产的CMOS技术，我们的客户鼓励我们将这些串行接口产品添加到我们现有的并行nvSRAM产品线中。竞争方案倾向于使用非标准工艺技术，且必须力保供应源的持续性。赛普拉斯的供应链很灵活稳定，拥有高质量的制造工艺，因而能满足需求巨大的串行市场。”
赛普拉斯是SONOS工艺技术的领先厂商，在其下一代PSoC?混合信号阵列、可编程时钟和其他产品中都采用了S8技术。SONOS与标准的CMOS技术兼容，并且具有高耐用性、低功耗和抗辐射的优势。赛普拉斯的S8? 0.13-微米 SONOS工艺在其自身的芯片厂和多个合作芯片厂中都有使用。与其他基于磁和铁电的非易失性存储技术相比，SONOS技术在规模扩展和可制造性方面具有突出的优势。
供货情况及照片
赛普拉斯的串行nvSRAM具有I2C (1-Mbit: CY14B101J) 和 SPI (1-Mbit: CY14B101QA)两种接口，封装方式为小尺寸8-SOIC 和 16-SOIC。这些器件还具有512-Kbit, 256-Kbit 和64-Kbit容量规格，以及可选配的实时时钟。目前，这些器件出于样品阶段，预计四月份开始量产。欲获取这些新型nvSRAM的高分辨率照片，请访问如下网站：www.cypress.com/go/pr/I2Cnvsramphoto。
关于赛普拉斯的nvSRAM
赛普拉斯的nvSRAM采用储存在外部电容器中的电荷，而非电池，因而器件与标准的PCB装配流程是兼容的。赛普拉斯的nvSRAM兼容ROHS标准，可以直接替代SRAM、电池供电的SRAM（BBSRAM）和EEPROM器件，提供快速的非易失性数据存储。断电时，数据从SRAM存储到器件的非易失性单元的过程可自动进行。供电恢复后，数据可从非易失性单元中恢复至SRAM。在仪表、工业、汽车和RAID应用中，当出现电力中断的情况时，nvSRAM无需电池即可提供高速数据传输并保证数据的完整性。
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