日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内，新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。
如果手持设备需要比标准0.8mm更薄的N沟道MOSFET，高度为0.6mm的SiA444DJT可以满足要求，其高度比次薄的2mm x 2mm器件小13%，比标准的0.8mm高度小19%。此外，该MOSFET在10V和4.5V下具有17mΩ和22mΩ的低导通电阻，最大导通电阻与栅极电荷乘积是衡量MOSFET在DC/DC转换器应用中的优值系数(FOM)，该器件在10V和4.5V下具有170mΩ-nC和110mΩ-nC的业内最低FOM。
SiA429DJT在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下具有20.5mΩ、27mΩ、36mΩ和60mΩ的业内最低导通电阻，足以胜任应用对更薄P沟道器件的要求。该器件在1.8V下的导通电阻比最接近的竞争器件小12%，包括标准0.8mm外形的MOSFET和所有2mm x 2mm的P沟道MOSFET。对于手持式电子设备，SiA429DJT和SiA444DJT更低的导通电阻意味着更低的传导损耗，从而延长在充电周期之间的电池寿命。
