包括在读博士生Ravi Agrawal在内的西北大学压电研究人员表示,通过将纳米氮化镓(GaN,一种III-V族半导体),以及氧化锌(ZnO,一种II-VI半导体)纳米线缩小到2.4nm以下,从运动产生的能量系数可分别提升20倍和100倍。他们还运用了密度泛函理论(density function theory, DFT)来计算降至0.6nm时的性能范围。
“建构纳米发电机、传感器和其他采用更小型纳米线的装置,都将能大幅提高其输出和灵敏度。”Espinosa说。
推升热电系数
同样,波士顿学院与麻省理工学院(MIT)、克莱姆森大学(Clemson University),以及维吉尼亚大学(University of Virginia)合作的研究团队则声称,通过首次将热电材料球磨到10nm颗粒等级,热电系数的质量指标(figure-of-merit)可提升到60~90%左右,之后还能加热使其结合在一起。如此一来,p-type的helf-Heusler热电半导体可获得所有今天被浪费的能源,并将它转换为电能。