开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET II MOSFET，新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗，并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。
飞兆半导体UniFET II MOSFET的反向恢复性能较替代解决方案提升50%。如果反向恢复速度较慢，则无法处理高反向恢复电流尖刺，会带来更大的开关损耗及功率MOSFET的发热，而飞兆半导体解决方案则能够耐受较现有解决方案高两倍以上的电流应力。
UniFET II MOSFET器件基于飞兆半导体的先进平面技术，具有更好的品质因数(FOM) (FOM: RDS(ON) * Qg)，更低的输入和输出电容，以及业界最佳的反向恢复性能，并具有高效率。而且，这些MOSFET器件的小型封装能容纳大量的功率，但不会产生更多的热量，所以能够提升用于液晶电视和等离子电视的SMPS，以及用于照明系统、PC电源、服务器和电信电源的SMPS应用的总体效率。
UniFET II MOSFET系列的初始产品包括FDPF5N50NZ和FDPF8N50NZ N沟道 MOSFET。FDPF5N50NZ是500V，4.5A，1.5器件，在VGS = 10V，ID = 2.25A下具有1.38 (典型值)的RDS(ON)；以及低栅极电荷(典型值9nC)。FDPF8N50NZ则是 500V，8A，0.85器件，在VGS = 10V, ID = 4A下具有0.77 (典型值)的RDS(ON)；以及低栅极电荷(典型值14nC)。
