二极管、三极管 |
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美国科锐投产采用SiC的+1200V耐压功率MOSFET - CMF20120D |
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http://cn.newmaker.com
1/20/2011 12:08:00 PM
佳工机电网
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美国科锐(Cree)宣布,已经投产了采用SiC(碳化硅)材料的+1200V耐压功率MOSFET“CMF20120D”(英文发布资料)。科锐是继2010年12月的罗姆之后第二家宣布投产SiC功率MOSFET的企业。不过,科锐在发布资料中称自己“是业界第一个投产的”。目标用途包括,太阳能发电用逆变器装置、高电压输出DC-DC转换器装置以及马达驱动用逆变器装置等。漏极电流方面,连续通电时最大为33A(25℃工作时),脉冲通电时最大为78A(25℃工作时)。导通电阻在栅源间电压为+20V、周围温度为25℃时只有80mΩ(标准值)。另外,即使周围温度上升至+125℃,导通电阻也只有95mΩ(标准值),温度上升对导通电阻增加的影响非常小。总栅极电荷仅90.8nC(标准值)。因此,容易提高开关频率。封装采用TO-247-3。
科锐表示,如果使用SiC功率MOSFET,与使用Si功率MOSFET的电源装置相比,开关损失最大可削减50%。另外,与采用Si材料IGBT的电源装置相比,可将装置整体的转换效率最大改善2%,而且能将开关频率提高至2~3。如果提高开关频率,能够缩小外置部件,因此可削减电源装置整体的体积和重量。
德国研究机构弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)在试制采用投产的SiC功率MOSFET的7kW输出太阳能发电用逆变器装置时,获得了最高97.81%的转换效率。采用+1200V耐压IGBT构成相同输出的逆变器装置时,最大转换效率为95.89%。通过采用SiC功率MOSFET,将转换效率提高了1.92个百分点。
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