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我国启动ＩＩ族氧化物半导体光电子器件基础研究 |
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| http://cn.newmaker.com
1/6/2011 3:40:00 PM
佳工机电网
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由中科院、吉林大学、南京大学、中山大学、东南大学等单位联合开展的"ＩＩ族氧化物半导体光电子器件的基础研究"日前正式启动，该项目对我国发展具有自主知识产权的短波长光电子器件具有重要意义。
据介绍，作为国家重点基础研究发展计划，"ＩＩ族氧化物半导体光电子器件的基础研究"项目内容包括ＩＩ族氧化物中的杂质调控、生长模式控制、微腔构建以及激光模式控制等关键科学问题，以期在短波长激光器件和紫外光电探测器等方面实现突破，并建立相关理论和技术创新体系。
该项目负责人之一、中科院长春光机所申德振研究员表示，该项目有望推动我国在宽禁带半导体领域的研究水平和创新能力，满足我国在白光照明、太空星际通讯等事关国防安全和国民经济发展的一系列重大领域对短波长发光二极管、半导体激光器、紫外光电探测器等关键元器件的战略需求。
据介绍，以硅为代表的第一代半导体的发展导致了微型计算机、集成电路的出现和整个信息产业的飞跃；第二代半导体砷化镓等的出现促成了信息高速公路的崛起和社会的信息化；宽禁带半导体作为第三代半导体，在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域方面有明显的优势，而作为第三代半导体的典型代表，ＩＩ族氧化物半导体具有更大的激子结合能，性能更加优良。
近年来在国家相关部门的扶持下，我国在ＩＩ族氧化物半导体方面的研究工作方面取得了一系列重大进展，在国际上率先在廉价的蓝宝石衬底上实现了氧化锌同质结的电致发光，实现了异质结的电注入受激发射和高性能的紫外光电探测等，与国外同类材料和器件的技术指标相比达到国际先进甚至领先水平。
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